晶振片測(cè)量膜厚的原理

合凈機(jī)械

晶振片測(cè)量膜厚的原理主要基于晶體的壓電效應(yīng)和質(zhì)量效應(yīng)。當(dāng)在晶振片上施加電壓時(shí)，晶體會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，其振動(dòng)頻率與晶體的物理參數(shù)有關(guān)。當(dāng)晶振片表面沉積或去除薄膜材料時(shí)，會(huì)導(dǎo)致晶體的質(zhì)量發(fā)生變化，進(jìn)而影響其振動(dòng)頻率。通過(guò)測(cè)量晶振片振動(dòng)頻率的變化，可以計(jì)算出薄膜的質(zhì)量變化，從而推算出薄膜的厚度。  
這種方法具有高精度、高靈敏度和實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)薄膜等領(lǐng)域的薄膜厚度測(cè)量。同時(shí)，晶振片測(cè)量膜厚還具有非破壞性、無(wú)需標(biāo)準(zhǔn)樣品等優(yōu)點(diǎn)，使得它在工業(yè)生產(chǎn)和科研領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

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