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• 電子槍：在真空環(huán)境中，電子槍通過加熱或場發(fā)射的方式發(fā)射出自由電子。常見的電子源包括鎢絲和場發(fā)射陰極。
  

• 透鏡系統(tǒng)：發(fā)射出的電子經過電磁透鏡的聚焦形成細小的電子束。透鏡的調節(jié)可以控制電子束的直徑和強度。
  

• 掃描線圈：由掃描線圈控制電子束在樣品表面上快速橫向移動，按行掃描樣品。這種方式類似于電視圖像的刷新過程。
  

• 當電子束撞擊樣品表面時，發(fā)生多種相互作用：
  
  • 二次電子：從樣品表面逸出的低能電子，用于產生樣品的表面圖像。
  • 反射電子：高能電子反彈產生的信息，提供樣品的成分和結構信息。
  • 特征X射線：通過激發(fā)樣品中的原子發(fā)出特征X射線，提供樣品的元素組成信息。
    

• 探測器：收集產生的二次電子和其他信號。常用的探測器有二次電子探測器（SED）和反射電子探測器（BED）。
  

• 圖像顯示：探測器將收集到的信號轉化為電信號，經過放大和處理后，形成圖像并在屏幕上顯示。圖像的灰度與信號的強度有關，可以反映樣品的表面形貌和結構。
  

• 圖像可以進一步處理和分析，以獲取關于樣品的更多信息，如尺寸、形狀、表面粗糙度等。
  

• SEM具有高分辨率（可達到納米級）和較大的景深，適合觀察樣品的微觀結構。
  

• SEM廣泛應用于材料科學、生命科學、半導體工業(yè)以及納米技術研究等領域。